本报记者Xv子豪报道:最近几天，意法半导体与Soitec宣布就碳化硅晶圆制造技术合作达成协议意法半导体表示，通过此次合作，意法半导体未来的200mm晶圆生产将采用Soitec的SmartSiC技术，旨在通过中期量产提高器件和模块的产量，认证将在未来18个月内进行

Soitec拥有SmartSiC专利技术，可以剥离优质碳化硅施主晶片的薄层，将其与低电阻率的多晶硅晶片键合，有助于提高器件的性能和生产良率此外，高质量的碳化硅晶片可以多次重复使用，从而大大降低了生产的总能耗

Soitec首席运营官安·师鹏表示:电动汽车正在颠覆汽车行业的发展通过将我们获得专利的SmartCut工艺与碳化硅半导体相结合，SmartSiC技术将加速碳化硅在电动汽车市场的应用Soitec的SmartSiC优化衬底，结合意法半导体行业领先的碳化硅技术和专业知识，将推动汽车芯片制造领域的重大变革，并设立新的行业标准

在扩产方面，记者从意法半导体了解到，意法半导体将在意大利建设一体化碳化硅衬底制造工厂，以满足意法半导体客户对汽车和工业碳化硅组件日益增长的需求根据官方信息，新工厂预计将于2023年投产，以实现碳化硅衬底内部采购和行业供应的平衡

产品方面，12月14日，意法半导体发布了新的碳化硅功率模块，可以提高电动汽车的性能和续航里程现在，这款电源模块已经在现代汽车公司的E—GMP电动车平台上使用，起亚EV6等车型共享这一平台